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K-Semi Morning Brief★Founding Access2026.06.22 (월) · 06:46 KST 생성

K-Semi 모닝 시그널 브리프

HBM4 양산 검증·DRAM 계약가 가이던스 상회 vs 커머디티 NAND 약세 병존

Section 02

Today's Semiconductor Temperature

K-Semi Cycle Score 및 핵심 모멘텀 지표

K-Semi Cycle Score

82/ 100Heating (과열 진입 구간)

사이클 스코어 82.3으로 'Heating' 국면 지속. HBM 공급망(92)·메모리(88)가 사이클을 견인하며, 5월 칩 수출 +38.4% YoY(11개월 연속 증가)와 Q3 DRAM 계약가 +9.2% QoQ(가이던스 상회)가 상단 모멘텀을 뒷받침. SK Hynix의 HBM4 12-Hi 선도 고객 퀄 통과(Reuters)는 HBM4 사이클 전환의 핵심 시그널로, HBM 밸류체인(Hanmi, ISC) 신호점수 강세와 정합적. 다만 (1) 커머디티 NAND 계약가/웨이퍼 스팟 하락(-1.8%/-2.4%)과 중국 레거시 DRAM 증설 압력, (2) Soulbrain 전환사채 발행(희석 우려), (3) Fabless/IP 세그먼트(49) 약세는 사이클 폭(breadth 64%)이 전 구간으로 확산되지 않았음을 시사. 메모리·HBM 집중 강세, 후공정·소재로의 낙수는 선별적이라는 해석이 우세.

KOSPI

2745.3▲+0.82%

지수 강세, 반도체 대형주 기여

USD/KRW

1362.4

원화 약세는 수출주 마진에 우호적이나 수입 소재 비용 양면성

사이클 스코어

82.3▲Heating

YoY +19.4%, MoM +3.8%, breadth 64%

SOX 모멘텀

+7.4%

벤치마크 +2.1%, NVDA/MU 강세

HBM3E 8-Hi (idx)

14.2▲+6.1%

계약 인덱스 강세 지속

DDR5 16Gb 스팟

4.55▲+5.4%

스팟이 계약가(+3.2%) 선행 상승

NAND 512Gb TLC 계약

3.85▼-1.8%

커머디티 NAND 약세, 중국 증설 압력

5월 칩 수출 YoY

+38.4%

11개월 연속 증가

Section 03

Top Signal Changes

어제 대비 가장 큰 변화

SK Hynix HBM4 12-Hi 선도 고객 퀄 통과

+84

HBM▲개선High

선도 AI 가속기 고객 대상 HBM4 12-Hi 양산 검증 통과 보도. HBM4 사이클 전환의 선행 시그널.

·사실: Reuters, SK Hynix HBM4 12-Hi 선도 고객 qualify 보도. HBM4 12-Hi prelim 인덱스 18.5(+1.4%)로 HBM3E(14.2) 대비 프리미엄 확인.
·신호: SK Hynix 신호점수 91, 20일 +18.4%로 메모리 내 최강. NVIDIA 데이터센터 매출 비트·차분기 상향 가이던스와 수요측 정합.
·해석: HBM4 ASP/믹스 상향은 2H26~1H27 메모리 마진 레버리지로 연결될 확률 우위. 단 단일 고객 퀄은 전체 캐파 배분·수율 안정화 검증 이전 단계로, 매출 인식 시점 불확실.

SK HynixHanmi SemiconductorISCNVIDIA

Q3 DRAM 계약가 +9.2% QoQ, 가이던스 상회

+76

Memory▲개선High

TrendForce 기준 Q3 DRAM 계약가 가이던스 상회 상승. DDR5 스팟이 계약가 선행.

·사실: TrendForce Q3 DRAM 계약 +9.2% QoQ. DDR5 16Gb 스팟 4.55(+5.4%) > 계약 4.1(+3.2%), DDR4 8Gb +1.1%로 레거시도 견조.
·신호: 메모리 세그먼트 스코어 88(+5.4), Micron +2.7%·HBM TAM 상향과 동조.
·반론: 가격 상승의 상당부분이 AI 서버향 DDR5/HBM 집중. 커머디티/모바일 DRAM 회복은 상대적으로 약해 가격 강세의 폭은 제한적일 수 있음.

SK HynixSamsung ElectronicsMicron

HBM 밸류체인 후공정 강세 — Hanmi·ISC

+68

Test▲개선Medium

Hanmi Semiconductor(+27.5% 20d) 타법인 취득 결정, ISC는 HBM KGD 테스트 수요 강화 보도.

·사실: Hanmi 신호점수 88, 타법인 주식 취득 결정(전공정 장비/소재 수직화 가능성). ISC 신호점수 70, HBM Known-Good-Die 테스트 수요 견조 보도.
·신호: 테스트 소켓/프로브 세그먼트 67(+2.2), OSAT 64(+1.6)로 후공정 낙수 진행.
·해석: HBM 적층 단수 증가(12-Hi 이상)는 본더·KGD 테스트 수요를 비선형 증대. 단 Hanmi 20일 +27.5%는 밸류에이션 부담 누적 구간으로 변동성 확대 가능.

Hanmi SemiconductorISCLeeno Industrial

ASML 부킹·2H 장비 풀인 코멘트

+58

Equipment▲개선Medium

ASML 부킹 코멘트가 하반기 툴 풀인 시사. 한국 장비주 HPSP 강세.

·사실: Sell-side, ASML 부킹 코멘트 → 2H 장비 풀인 가능성. 한국 메가클러스터 세액공제 확대(MOTIE).
·신호: 장비 세그먼트 76(+3.6). HPSP +9.8%(20d), 신호점수 74. Wonik IPS는 -0.8%(1d)로 선별적.
·반론: Samsung 파운드리 가동률 혼조, DB HiTek 20일 -3.6%로 비메모리 캐파 수요 회복은 지연. 장비 강세는 메모리/HBM 증설 편중.

HPSPWonik IPSASML

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Section 04

Chain Impact

이벤트 → 글로벌 체인 → 한국 밸류체인 → 종목 영향

HBM4 12-Hi 양산 검증은 적층 단수·다이 수 증가를 동반해 TC본더·KGD 테스트·소켓 수요를 증폭. 한국 후공정 밸류체인으로 낙수.

MACRO

HBM4 12-Hi 퀄 통과

Impact+72

→→0.90

SEGMENT

AI 가속기 고객 캐파 배분 확대

Impact+70

→→0.82

SEGMENT

적층 단수↑ → 본더/테스트 공정 증가

Impact+68

→→0.74

SEGMENT

Hanmi(본더)·ISC/Leeno(테스트) 수주 모멘텀

Impact+66

→→0.66

KR COMPANY

후공정 세그먼트 스코어 상승

Impact+64

중국 레거시 캐파 램프가 커머디티 NAND·레거시 DRAM 가격에 하방 압력. AI향 프리미엄 제품과 디커플링 심화.

MACRO

중국 레거시 증설

Impact-42

→→0.90

SEGMENT

커머디티 NAND 공급 증가

Impact-44

→→0.82

SEGMENT

NAND 계약 -1.8%/웨이퍼 스팟 -2.4%

Impact-46

→→0.74

SEGMENT

레거시 파운드리(DB HiTek) 가동률 압박

Impact-48

→→0.66

KR COMPANY

Fabless/IP 세그먼트 약세 전이

Impact-50

Q3 계약가 가이던스 상회·칩 수출 +38.4%는 SK Hynix/Samsung 메모리 ASP·믹스 개선으로 연결. 원화 약세(1362)가 마진 추가 우호.

MACRO

DDR5 스팟 선행 상승

Impact+68

→→0.90

SEGMENT

Q3 계약가 +9.2% QoQ

Impact+66

→→0.82

SEGMENT

AI 서버 DRAM/HBM 믹스 상향

Impact+64

→→0.74

SEGMENT

한국 메모리 영업레버리지

Impact+62

→→0.66

KR COMPANY

수출 데이터 11개월 연속 증가 확인

Impact+60

Event → Impact

HBM4 퀄 통과 → 후공정 본더/테스트 수요 비선형 확대

+72High

HBM4 12-Hi 양산 검증은 적층 단수·다이 수 증가를 동반해 TC본더·KGD 테스트·소켓 수요를 증폭. 한국 후공정 밸류체인으로 낙수.

HBM4 12-Hi 퀄 통과→AI 가속기 고객 캐파 배분 확대→적층 단수↑ → 본더/테스트 공정 증가→Hanmi(본더)·ISC/Leeno(테스트) 수주 모멘텀→후공정 세그먼트 스코어 상승

Affected Segments

HBMMemoryTestEquipment

Affected Companies

후공정 세그먼트 스코어 상승

Counterpoints

·Soulbrain 전환사채권 발행 결정(부정적 공시). 소재 세그먼트 약세와 결합.
·NAND 계약 -1.8%·웨이퍼 스팟 -2.4%. 중국 레거시 캐파 램프가 하방 압력.

Section 05

Segment Watch

세그먼트별 신호 강도

HBM Supply Chain

▲ net +84

Test Socket / Probe

▲ net +68

Equipment

▲ net +58

Memory

▲ net +32

Foundry

▼ net -33

Materials

▼ net -38

Section 06

Risk Radar

가격 피크아웃 · 재고 · CapEx · 규제 · 중국 가격 · 매크로

Soulbrain 전환사채 발행 — 희석·소재주 심리 악화

-38

Materials▼악화Medium

Soulbrain 전환사채권 발행 결정(부정적 공시). 소재 세그먼트 약세와 결합.

·사실: DART, Soulbrain 주요사항보고서(전환사채권 발행 결정). 주가 1d -1.4%/5d -2.8%, 신호점수 58.
·신호: 소재 세그먼트 스코어 58(-0.4)로 사이클 내 상대 부진. HBM 강세 낙수가 소재까지 균일하게 미치지 않음.
·반론: CB 발행이 HBM/AI향 소재 증설 투자 재원일 경우 중장기 캐파 확대로 해석 가능. 발행 조건·자금용도 확인 전 단정 불가.

SoulbrainSolbrain Holdings

커머디티 NAND 가격 하락 — 중국 증설 압력

-44

Memory▼악화Medium

NAND 계약 -1.8%·웨이퍼 스팟 -2.4%. 중국 레거시 캐파 램프가 하방 압력.

·사실: NAND 512Gb TLC 3.85(-1.8%), NAND 웨이퍼 스팟 2.6(-2.4%). Industry, 중국 레거시 DRAM 증설이 커머디티 NAND 압박.
·신호: DRAM/HBM 강세와 NAND 약세의 카테고리 디커플링. eSSD 1TB는 +0.9%로 AI 스토리지향만 선방.
·해석: NAND 비중 높은 사업부는 메모리 사이클 강세 수혜에서 부분 소외될 확률. 단 AI 데이터센터 eSSD 수요가 하방을 일부 상쇄.

Samsung ElectronicsSK HynixMicron

Fabless/IP·파운드리 비메모리 부진

-33

Foundry▼악화Low

Fabless/IP 세그먼트 49(-2.3)·파운드리 54(-1.1) 약세. Samsung 파운드리 가동률 혼조.

·사실: Cellid 20일 -8.2%(신호점수 44), DB HiTek 20일 -3.6%. Trade press, Samsung 파운드리 가동률 혼조·메모리가 분기 견인.
·신호: 사이클 강세가 메모리/HBM에 집중되며 비메모리 후행. breadth 64%가 전 구간 확산 미달임을 방증.
·반론: 한국 메가클러스터 세액공제 확대(MOTIE)는 중장기 비메모리 캐파 투자에 우호적 정책 변수.

DB HiTekCellidSamsung Electronics

Section 07

Scenario

Bull / Base / Bear · 확률 기반 해석

Bull38%

HBM4 램프 가속·계약가 추가 상회

HBM4 12-Hi 다고객 확산·Q3 계약가 상회 지속으로 메모리·후공정 동반 강세. 사이클 스코어 85+ 진입.

Watch Points

HBM4 추가 고객 퀄/캐파 배분 공시
Q4 DRAM 계약가 가이던스
ASML 2H 부킹 실적화
NVDA/Micron 후속 가이던스

Base47%

HBM 주도 차별화 장세 지속

HBM·AI 서버 DRAM 강세 vs 커머디티 NAND 약세 병존. breadth 60%대 박스권, 메모리/후공정 집중.

Watch Points

NAND 가격 추가 하락 폭
Fabless/IP 세그먼트 반전 여부
후공정 밸류에이션 부담 누적
원/달러 환율 방향

Bear15%

커머디티 디플레·자본조달 희석 확산

중국 증설 압력이 메모리 전반으로 확산되고 Soulbrain형 CB 발행 등 희석 이벤트가 소재·중소형주로 전이될 경우 사이클 폭 축소.

Watch Points

NAND 웨이퍼 스팟 연속 하락
추가 전환사채/유상증자 공시
Samsung 파운드리 가동률 악화
SOX 모멘텀 둔화

Section 08

Sources

NEWS
SK Hynix qualifies HBM4 12-Hi for lead AI-accelerator customer
Reuters
2026.06.21
DATA
May chip exports +38.4% YoY, 11th straight monthly gain
Korea Customs
2026.06.21
RESEARCH
DRAM contract price +9.2% QoQ for Q3, above guidance
TrendForce
2026.06.21
IR
NVIDIA data-center revenue beats; guides next quarter higher
Company IR
2026.06.21
IR
Micron raises HBM TAM outlook for calendar 2026
Company IR
2026.06.21
RESEARCH
ASML bookings commentary points to 2H tool pull-ins
Sell-side
2026.06.21
NEWS
China legacy DRAM capacity ramp pressures commodity NAND
Industry
2026.06.21
NEWS
ISC test-socket demand firms on HBM known-good-die testing
Trade press
2026.06.21
NEWS
Samsung foundry utilization mixed; memory carries the quarter
Trade press
2026.06.21
NEWS
Korea expands semiconductor mega-cluster tax credits
MOTIE
2026.06.21
공시
Soulbrain — 주요사항보고서(전환사채권발행결정)
DART
2026.06.21
공시
SK Hynix — 풍문또는보도에대한해명
DART
2026.06.21
공시
Hanmi Semiconductor — 타법인주식및출자증권취득결정
DART
2026.06.21
공시
Intops — 자기주식취득신탁계약체결결정 / 중간배당 기준일 결정
DART
2026.06.21
DATA
Memory quote snapshot (HBM/DRAM/NAND idx)
K-Semi Model/Mock
2026.06.19
K-SEMI
Cycle & segment model reads
K-Semi Model
2026.06.21

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